三星 sdi 文章 最新資訊
三星已獲得蘋果 2026 折疊手機的獨家 OLED 面板訂單
- 隨著三星推出最新的折疊手機——Galaxy Z Flip7 和 Z Fold7，人們的目光現(xiàn)在轉(zhuǎn)向了蘋果的第一款折疊手機。據(jù)報道，三星顯示部門已獲得一份多年獨家合同，為該設(shè)備供應(yīng)折疊 OLED 面板，該設(shè)備定于 2026 年推出，信息來源為 ETNews。報道稱，三星顯示正在其位于忠清南道安山市 A3 工廠建設(shè)一條專用生產(chǎn)線，以獨家供應(yīng)蘋果的折疊屏 OLED 面板。該項目于 2024 年末開始，據(jù) ETNews 報道，現(xiàn)已接近完成。據(jù) ETNews 報道，蘋果計劃在 2026 年推出年產(chǎn)量為 6
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Cadence 將擴大與三星晶圓廠的合作
- 7 月 8 日，Cadence通過其微信公眾號正式宣布，這家美國公司最近決定擴大與三星晶圓廠的合作。雙方已簽署一項新的多年 IP 協(xié)議，以擴展Cadence?存儲器和接口 IP 解決方案在三星晶圓廠先進 SF4X、SF5A 和 SF2P 工藝節(jié)點的部署。這些解決方案將支持人工智能數(shù)據(jù)中心、汽車系統(tǒng)和下一代射頻連接的高性能、低功耗應(yīng)用。通過結(jié)合Cadence的 AI 驅(qū)動設(shè)計和硅解決方案與三星的先進制造技術(shù)，這項合作旨在加速基于三星領(lǐng)先節(jié)點的尖端系統(tǒng)級芯片（SoC）、芯片和 3D-IC 產(chǎn)品的上市時間（TT
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臺積電加快了對亞利桑那州芯片綜合體的投資，因為三星推遲了德克薩斯州的晶圓廠
- 根據(jù)兩份新報告，臺積電和三星電子正在將其在美國的晶圓廠業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)向不同的方向。《華爾街日報》今天援引消息人士的話說，臺積電正在加速對其亞利桑那州晶圓廠的投資。與此同時，據(jù)報道，三星正在推遲德克薩斯州一家芯片工廠的竣工。兩家公司的建設(shè)項目預(yù)計耗資超過 1800 億美元。 據(jù)《華爾街日報》報道，臺積電正在放慢在日本的晶圓廠建設(shè)項目，以便為其在亞利桑那州的加速投資計劃提供更多資源。后一項計劃將使該公司在鳳凰城附近建造一個龐大的制造中心，該中心將容納九個不同的設(shè)施。該中心預(yù)計將滿負荷雇用 6,000 名專業(yè)
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據(jù)報道三星押注4-7納米工藝，價格比臺積電高出30%，瞄準中國尚未進入的市場
- 雖然英特爾已從 18A 轉(zhuǎn)向 14A 進行戰(zhàn)略權(quán)衡，據(jù)報道三星通過優(yōu)先考慮 2 納米和 4 納米而不是 1.4 納米做出了妥協(xié)，根據(jù) ZDNet。同時，Chosun Biz 透露，這家陷入困境的半導(dǎo)體巨頭還計劃通過將這些節(jié)點的價格定價比臺積電低約 30%來提高 7 納米以下工藝的需求——這仍然是中國競爭對手無法企及的領(lǐng)域。Chosun Biz 報道稱，三星的 4 納米工藝旨在通過 SF4U 提升約 20%的能效來贏得訂單。據(jù)三星稱，SF4U 是一款高端 4 納米變體，采用光學縮小技術(shù)來
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三星押注4-7納米工藝，與臺積電相比有30%價格差距
- 根據(jù) ZDNet 的數(shù)據(jù)，雖然英特爾已將重點從 14A 轉(zhuǎn)移到 18A，但據(jù)報道，三星通過優(yōu)先考慮 2nm 和 4nm 而不是 1.4nm 做出了妥協(xié)。與此同時，Chosun Biz 透露，這家陷入困境的半導(dǎo)體巨頭還計劃通過使節(jié)點定價比臺積電低約 30% 來增加對 7nm 以下工藝的需求——中國競爭對手仍然無法企及。Chosun Biz 表示，對于其 4nm 工藝，三星的目標是通過 SF4U 將能效提高約 20% 來贏得訂單。據(jù)三星稱，SF4U 是一種優(yōu)質(zhì)的 4nm 變體，使
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AI驅(qū)動內(nèi)存革新 臺積電與三星引領(lǐng)存儲技術(shù)搶攻萬億商機
- 全球新興記憶體與儲存技術(shù)市場正快速擴張，而臺積電、三星、美光、英特爾等半導(dǎo)體巨頭正與專業(yè)IP供應(yīng)商合作，積極推動先進非揮發(fā)性存儲器解決方案的商業(yè)化。過去兩年，相變內(nèi)存（PCM）、電阻式隨機存取內(nèi)存 （RRAM） 和 自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻式隨憶式內(nèi)存 （STT-MRAM） 已從實驗室走向次22納米節(jié)點的試產(chǎn)階段，并運用3D堆疊技術(shù)實現(xiàn)高密度，以解決傳統(tǒng)DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺積電、三星、美光、英特爾等業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者的合作下，每年超過50億美元的研發(fā)投入加速新材料與制程的成熟。 這
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晶圓代工復(fù)蘇勢頭強勁 三星接近與高通2nm合作
- 根據(jù)韓國媒體 Business Post 的報道，三星電子似乎接近確保高通成為其下一代 2nm 代工工藝的第一個主要客戶。這一發(fā)展可能標志著三星朝著重振苦苦掙扎的合同芯片制造業(yè)務(wù)邁出了重要一步，該業(yè)務(wù)一直面臨持續(xù)的良率問題，并失去了臺積電的關(guān)鍵客戶。據(jù)報道，高通正在使用三星的 2nm 技術(shù)對多款芯片進行量產(chǎn)測試，包括其即將推出的 Snapdragon 8 Elite 2 移動處理器的高級版本。這款代號為“Kaanapali”的芯片將有兩種變體。基本版本預(yù)計將由臺積電使用其 3nm 工藝
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高通驍龍新旗艦芯片將采用三星2nm代工，專供三星Galaxy系列
- 據(jù)外媒Business Post報道，三星計劃在2026年推出的Galaxy S26系列旗艦智能手機，除了搭載基于自家2nm制程代工的Exynos 2600芯片外，還將采用高通新一代驍龍8系列旗艦芯片，可能命名為Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是，這款高通芯片將不再由臺積電獨家使用N3P制程代工，而是部分交由三星2nm制程代工，專為三星Galaxy系列設(shè)備定制。報道顯示，高通的下一代芯片策略將有重大調(diào)整，計劃為新一代驍龍旗艦手機芯片開發(fā)兩個版本。一個版本采用臺積電3nm制程，供
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三星接近與高通達成2納米代工協(xié)議，隨著晶圓代工業(yè)務(wù)復(fù)蘇勢頭增強
- 根據(jù)韓國媒體 Business Post 的報道，三星電子似乎即將獲得高通作為其下一代 2 納米晶圓代工工藝的首個主要客戶。這一發(fā)展可能標志著三星苦苦掙扎的合同芯片制造業(yè)務(wù)復(fù)蘇的重要一步，該業(yè)務(wù)一直面臨持續(xù)的良率問題和關(guān)鍵客戶流失給臺積電的情況。據(jù)報道，高通正在使用三星的 2 納米技術(shù)對數(shù)款芯片進行大規(guī)模量產(chǎn)測試，包括其即將推出的高端版驍龍 8 Elite 2 移動處理器。這款芯片的代號為“Kaanapali”，將提供兩種變體。基礎(chǔ)版本預(yù)計將由臺積電使用其 3 納米工藝生產(chǎn)，而高端版“Kaanapali
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晶圓代工格局生變：中芯國際緊追三星
- 在全球芯片代工市場的激烈競爭中，格局正發(fā)生深刻變化。雖然臺積電一直保持著其主導(dǎo)地位，但曾經(jīng)穩(wěn)居第二的三星電子如今面臨嚴峻挑戰(zhàn)，中芯國際展現(xiàn)出強勁勢頭正在追趕這家韓國巨頭。調(diào)研機構(gòu)TrendForce發(fā)布的報告顯示，2025年第一季度，全球前十大晶圓代工廠中，臺積電憑借先進制程導(dǎo)入速度和良率控制方面的絕對優(yōu)勢，以67.6%的份額穩(wěn)居榜首。值得注意的是，中芯國際正以驚人的速度追趕三星電子，其市場份額已攀升至6%并持續(xù)增長，而三星電子的市場份額已降至7.7%。第四名至第十名分別為聯(lián)電 (UMC)、格芯 (Glo
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三星優(yōu)先考慮2nm/4nm改進，2028-29前不太可能實現(xiàn)1.4nm
- 據(jù)報道，隨著主要競爭對手臺積電和英特爾的目標是在 2025 年下半年實現(xiàn) 2nm 和 18A 的量產(chǎn)，三星也在調(diào)整其業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。據(jù) ZDNet 稱，它現(xiàn)在專注于提高和優(yōu)化其當前先進節(jié)點的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，雖然沒有給出修改后的時間表，但該報告表明，三星的 1.4nm 生產(chǎn)現(xiàn)在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開始。據(jù) ZDNet 稱，該更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高級代工生態(tài)系統(tǒng)）論壇 2025”期間發(fā)布的。據(jù)報道，在此次活動中，三星透
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三星推動2納米技術(shù)突破，業(yè)界押注臺積電3納米鰭式場效應(yīng)晶體管
- 市場傳言越來越多，稱三星正在積極將資源轉(zhuǎn)向 2 納米開發(fā)，計劃明年在其德克薩斯州工廠推出下一代工藝，可能試圖超越臺積電。然而，據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的消息人士稱， 商業(yè)時報報道，三星當前的 3 納米 GAAFET 技術(shù)大致與競爭對手的 4 納米鰭式場效應(yīng)晶體管節(jié)點相當，這引發(fā)了對其即將到來的 2 納米工藝可能仍不及臺積電最強大的 3 納米鰭式場效應(yīng)晶體管一代的擔憂。同時，臺積電繼續(xù)擴展其 3 納米工藝系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同應(yīng)用變體。該報告指出，這些節(jié)點預(yù)計將仍然是主要客戶的首選。
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臺積電3納米FinFET 三星2納米恐難敵
- 市場近期盛傳三星將押注資源發(fā)展2納米，預(yù)計最快明年于美國德州廠率先導(dǎo)入2納米制程，企圖彎道超車臺積電。 半導(dǎo)體業(yè)界透露，三星目前以GAAFET打造之3納米，約為目前競爭對手4納米FinFET水平，分析2納米效能恐怕不如臺積電最后也是最強一代之3納米FinFET。 尤其臺積電再針對3納米發(fā)展更多家族成員，包括N3X、N3C、N3A等應(yīng)用，未來仍會是主流客戶之首選。盤點目前智能手機旗艦芯片，皆使用臺積電第二代3納米（N3E），僅有三星Exynos 2500為自家3納米GAAFET; 各家業(yè)者今年預(yù)計迭代進入第
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搶先臺積電 傳三星將在美國推出2納米
- 臺積電和三星在晶圓代工領(lǐng)域競爭激烈，兩家大廠相繼赴美國設(shè)廠，根據(jù)ZDNet Korea報導(dǎo)，三星可能比臺積電更早在美國推出2納米制程，預(yù)計時間點在明年第一季，以增強在美國芯片市場的影響力。 但報導(dǎo)也質(zhì)疑，三星先進制程的良率偏低，泰勒工廠能否達到芯片生產(chǎn)階段仍存在不確定性。報導(dǎo)指出，三星計劃將在美國推出首個國產(chǎn)2納米制程，以加強競爭力，據(jù)悉公司已開始為在泰勒工廠的生產(chǎn)線做準備。 雖然目前美國2納米制程生產(chǎn)尚處在規(guī)劃階段，但考量大型科技公司對從美國采購芯片展現(xiàn)濃厚興趣，三星對此持樂觀態(tài)度。三星美國廠野心勃勃，
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